TTLを使用した半導体の劣化と放射妨害波の関係の検討(生体,EMC,一般)
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概要
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電子機器から漏洩する電磁波にはさまざまな情報が含まれている.この情報の中より,電子機器の劣化に必要な情報を取得できれば,非接触で機器の診断が可能となる.そこで,まず,単純な半導体素子であるTTLを熱劣化させ,劣化のレベルと放射妨害波の関係を検討した.その結果,1)TTLは外部から熱を加えても,負荷を大きくしてチップの温度を上げても,アウレニウスの式に従って劣化をすること,2)TTLの場合は,劣化により放射妨害波のレベルが下がること,3)TTLの劣化により,ボード上の磁界,電界分布に変化が現れるが,これより劣化したTTLを特定するにはさらなる検討が必要であることがわかった.
- 2012-10-18
著者
-
桑原 伸夫
九州工業大学
-
秋山 佳春
NTT環境エネルギー研究所
-
桑原 伸夫
Ntt マルチメディアネットワーク研
-
上田 翼
九州工業大学大学院工学研究院工学府電気電子工学専
-
奥村 拡
九州工業大学大学院工学研究院工学府電気電子工学専
-
桑原 伸夫
九州工業大学大学院工学研究院
-
上田 翼
九州工業大学大学院工学研究院工学府電気電子工学専攻
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