準マイクロ波帯における模擬機器の放射電磁界解析モデルの検討
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概要
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模擬機器は,この機器上に設置したプリント基板からの放射電磁界を解析して測定値と比較することが可能であるため,プリント基板からの放射メカニズムの研究に使用されている.しかし,解析モデルやその動作周波数に問題があり,適用周波数帯域は1GHz以下に限定されている.本報告では,最新の情報技術装置がクロック周波数として使用している1GHz以上の周波数に適用するため,模擬機器の解析モデルと動作周波数の改善を行っている.検討の結果,セグメント数を5591個使用し,解析モデルを考慮することにより,300MHz〜3GHzの周波数帯域で,放射電磁界の最大値については解析値と測定値の誤差を水平偏波では4dB以内,垂直偏波では12dB以内にできることがわかった.また,光変調器を使用することにより周波数特性300MHz〜3GHzに改善できることがわかった.さらに,模擬機器を用いて対策部品の効果を評価した結果,解析結果は測定結果とほぼ一致した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-23
著者
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