CoFeB/MgO-磁気トンネル接合の特性改善を目指した窒化物キャップ層の作製(ヘッド・スピントロニクス、一般)
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概要
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CoFeB/MgO磁気トンネル接合においては,キャップ層原子のCoFeB層中への拡散を低減することによって特性が大幅に改善する可能性がある.拡散の低減のためには従来のキャップ層材料であるTaと比較して熱的安定性の高い材料をキャップ層に用いることが必要であるが,CoFeB/MgO磁気トンネル接合に適用する場合には,さらに低い比抵抗,bcc-CoFeB(001)と整合する結晶配向もしくはナノ結晶性,およびアニール中にCoFeBからBを吸収する性質を具備する必要がある.本研究では低比抵抗,高熱的安定性材料であるTa-NならびにTi-Nに着目し,これらのCoFeB/MgO-MTJのキャップ層としての適合性を,微細構造ならびに磁気的特性評価を通して評価した.結果,TiNがTaと比較してCoFeB/MgO-MTJのキャップ層としての高い適合性を有することの示唆を得た.
- 2012-10-11
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