Co/α-Cr_2O_3(0001)薄膜の垂直交換バイアスに対するPtスペーサ層の影響(映像情報機器及び一般)
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概要
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我々は,これまでにスパッタリング法によって作製したPt/Co/α-Cr_2O_3薄膜において,約0.3erg/cm^2の高い垂直交換バイアスが発現することを報告し,また,垂直交換バイアスが急激に消失する特徴的な温度依存性を示した.垂直交換バイアスの急激な消失は, Co/α-Cr_2O_3界面での界面交換結合強度と,α-Cr_2O_3層の磁気異方性の競合により説明できる.本研究では, Co/α-Cr_2O_3界面にPtスペーサ層を挿入することによる界面交換結合の強度の制御および,界面交換結合強度の変化による垂直交換バイアスの発現温度の変化について検討した.結果として, Ptスペーサ層の挿入により,一方向性磁気異方性エネルギーJ_Kが低下し, J_Kの低下にともなって交換バイアスの発現温度が上昇した.この結果は, MeiklejohnとBeanによって提唱された交換磁気異方性モデルと定性的に一致する.
- 2012-01-12
著者
-
納富 隼人
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
白土 優
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
白土 優
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
白土 優
大阪大学大学院工学研究科
-
中谷 亮一
(株)日立製作所中央研究所
-
中谷 亮一
大阪大 大学院工学研究科
-
及川 博人
大阪大学大学院工学研究科
-
藤田 敏章
大阪大学大学院工学研究科
-
中谷 亮一
大阪大学大学院工学研究科
-
納富 隼人
大阪大学大学院工学研究科
-
武智 雄一郎
大阪大学大学院工学研究科
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