Pt/Co/α-Cr_2O_3(0001)薄膜における高い垂直交換バイアスとその特異な温度依存性(映像情報機器,一般)
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概要
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反応性DCマグネトロンスパッタリング法によって作製されたPt/Co/α-Cr_2O_3(0001)薄膜における垂直交換バイアスについて検討した.α-Cr_2O_3層上で,Pt/Co積層膜は垂直磁気異方性(PMA)と垂直交換バイアス(PEB)を示した.PEBは室温では観測されないが,温度を低下させると,例えば,α-Cr_2O_3膜厚が50nmの場合には,170Kで発現する.交換バイアス磁場と飽和磁化から求められた一方向性磁気異方性エネルギーJ_Kは,約0.29erg/cm^2となった.この値は,α-Cr_2O_3を反強磁性体として用いた系で観測されているJ_Kの値の中で,最高の値である.さらに温度を低下させると,180-80Kの間で,PEBは低下する.PEBの温度依存性を,MeiklejohnとBeanによって提唱された交換磁気異方性モデルに基づいて議論した結果,PEBの急激な発現は,界面結合エネルギーJ_<int>とα-Cr_2O_3層の磁気異方性エネルギーK_<AF>・t_<AF>の競合により説明できることが分かった
- 2011-01-13
著者
-
納富 隼人
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
白土 優
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
白土 優
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
白土 優
大阪大学大学院工学研究科
-
中谷 亮一
(株)日立製作所中央研究所
-
中谷 亮一
大阪大 大学院工学研究科
-
及川 博人
大阪大学大学院工学研究科
-
藤田 敏章
大阪大学大学院工学研究科
-
中谷 亮一
大阪大学大学院工学研究科
-
納富 隼人
大阪大学大学院工学研究科
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