SO-DIMM評価モデルを用いたキットモジュールレベルと放射電界強度レベルの相関性の検討(放電・実装,EMC,一般)
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概要
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ハードディスク等の小形デバイス(キットモジュール)の放射妨害波レベルを効率良く測定するため,これらの機器の電源ラインに現れる妨害波電流を測定する方法が検討されている.一方,現在,情報技術装置からの放射妨害波レベルは電界強度で規定されているので,妨害波電流レベルと電界強度レベルの相関性を評価する必要がある.しかし,情報技術装置の内部構造は複雑で多岐にわたるので,その相関値はある分布をもって存在し,統計的な処理を必要とする.本報告では,検討モデルとして,FPGAで駆動されるSO-DIMMを用いて相関性の評価を行っている.検討の結果,妨害波電流と放射電界強度間の変換係数は周波数の対数に比例して増加し,電界が微小ループから放射されると仮定した場合の傾向と良く一致すること,レベルEの基準をクリアしていれば80%以上の確率でクラスBの放射電界強度の許容値をクリアできることがわかった.
- 2012-07-13
著者
-
桑原 伸夫
九州工業大学
-
島先 敏貴
日本電気エンジニアリング株式会社
-
村松 秀則
Necアクセステクニカ株式会社
-
遠矢 弘和
アイキャスト
-
桑原 伸夫
Ntt マルチメディアネットワーク研
-
桑原 伸夫
九州工業大学大学院工学府
-
島先 敏貴
Necエンジニアリング
-
村松 秀則
VCCI協会
-
桑原 伸夫
九州工業大学大学院工学研究院電気電子工学研究系
-
桑原 伸夫
九州工業大学大学院工学研究院
-
森 健吾
アイ・オー・データ機器
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