14-8 65nmプロセスによる偏光計測イメージセンサの機能向上(第14部門情報センシング)

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概要

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• We propose a polarization analyzing image sensor pixel based on 65-nm CMOS process. The polarizer is designed by using a metal layer. The designed pixel structure and characteristics are described. By the fabricated sensor, extinction ratio greater than 90 is successfully achieved.

• 一般社団法人映像情報メディア学会の論文
• 2011-08-24

著者

• 太田 淳

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 野田 俊彦

  奈良先端科学技術大学

• 太田 淳

  奈良先端科学技術大学院大

• 笹川 清隆

  奈良先端科学技術大学院大

• 安藤 圭祐

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 松岡 均

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 安藤 圭祐

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 松岡 均

  奈良先端科学技術大学院大学

• 徳田 崇

  奈良先端科学技術大学院大学

• 小田 有城

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

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