19-7 Pnpn-4層裏面照射構造を用いた先端科学技術用撮像素子(第19部門[テーマ講演]科学技術のフロンティアを切り拓くイメージセンサ技術)

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概要

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• Installing functional circuitry on the front side of backside-illuminated image sensors provides image sensors with both high sensitivity and advanced functions. To prevent intrusion of incident light and migration of generated photoelectrons to the functional circuits, a special sensor structure with pnpn layers was developed. Potential applications are briefly discussed.

• 2012-08-29

著者

• 新井 俊希

  NHK放送技術研究所

• DAO Vu

  立命館大学

• 山田 哲生

  東京工芸大学

• 江藤 剛治

  立命館大学

• 新井 俊希

  NHK放送技術研究所撮像記録デバイス研究部

• 新井 俊希

  NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部

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