24aCL-1 混合核形成法を用いた強誘電性(Pb-Sn-Ti)O_3薄膜の作成、構造と誘電物性(24aCL 誘電体(酸化物,ペロヴスカイト,光散乱),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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概要
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- 2012-03-05
著者
-
上江洲 由晃
早大先進理工
-
Kiat J.
Ecole Centrale Paris
-
岩崎 隼司
早大先進理工
-
上江洲 由晃
早稲田大学理工
-
上江洲 由晃
早稲田大学先進理工学研究科
-
横田 紘子
千葉大理
-
Haumont R.
Universite Paris-Sud XI
-
Janolin P.
Ecole Centrale Paris
-
Haumont R.
Universite Paris Sud.
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