22pHS-5 PLD法による(Pb-Sn-Ti)O_3系薄膜の作成とその構造および物性(22pHS 誘電体・フォノン(酸化物・第一原理計算),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2010-03-01

著者

• 上江洲 由晃

  早大先進理工

• 岩崎 隼司

  早大先進理工

• 上江洲 由晃

  早稲田大学理工

• 上江洲 由晃

  早稲田理工

• 上江州 由晃

  早大理工

• 上江洲 由晃

  早稲田大学先進理工学研究科

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