26pBB-2 NaCl水溶液における固液界面の影響の理論的検討(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2012-03-05

著者

• 赤木 和人

  東北大WPI

関連論文

• 13aXF-6 不飽和結合・水酸基・アミノ基を持つ有機分子の Si(001) 表面での拡散 : プロセスへの第一原理的アプローチ(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
• 23aGP-2 Al_2O_3(0001)面およびMgO(001)面と水との界面構造の第一原理分子動力学法による研究(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aQE-1 FMO-LCMO法に基づく巨大分子系の電子状態解析(電子状態・振動子・エネルギー移動と緩和,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWB-9 FMO法に基づくタンパク質のハミルトニアンの解析(23aWB 光応答・光散乱・化学物理一般・シミュレーション手法・量子系・電子状態,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pZB-9 ジグザグ端改質法による磁気的ナノグラファイトと高スピン炭化水素の理論予測
• シリコン表面における環化付加反応
• 21aRG-2 三次元重合フラーレンの第一原理計算(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
• 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
• 29pRD-5 GGAを超える近似手法を用いた分子吸着系・架橋系の電子状態の評価(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 領域9,領域10「Physics and applications of hydrogen absorption on Pd surfaces and nano particles」(2008年秋季大会シンポジウムの報告)
• 20pYA-8 タンパク質の電子状態解析 : 物性物理的アプローチ(20pYA 領域7,領域5合同シンポジウム:生物物質科学-金属を含む分子系を中心に-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 領域9,7「単一分子伝導研究の現状と課題」(2006年秋季大会シンポジウムの報告)
• 29pYE-2 第一原理計算によるシリコン表面の有機分子ダイナミクス(領域9,領域7,領域12合同シンポジウム : 有機分子と表面の相互作用 : 単一分子から薄膜までのサイエンス)(領域9)
• 29pYE-2 第一原理計算によるシリコン表面の有機分子ダイナミクス(領域9,領域7,領域12合同シンポジウム : 有機分子と表面の相互作用 : 単一分子から薄膜までのサイエンス)
• 24aYC-8 吸着子・表面間の軌道混成への電場の影響の第一原理計算による評価(24aYC 領域9,領域10,領域11合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pXJ-3 「不飽和炭化水素/Si(001)」吸着系への電場の影響の第一原理計算による評価(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15pXE-1 軟 X 線発光分光法による SiO_2/Si 界面電子状態のサイト選択的観測(表面界面電子物性, 領域 9)
• 21pRK-13 アミノ酸集合体として見たタンパク質電子状態のモデル化(生物物理,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 25pTE-5 Si(100)表面における1,4-シクロヘキサジエンの吸着状態と温度依存性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-9 Si(001)表面におけるエチレン・アセチレンの反応経路の詳細(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aWH-2 アルケン分子/Si(001)表面系の化学吸着における「マルコフニコフ則」(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pXD-9 Si(001)表面に化学吸着したアルケン/アルキン分子の配向性の差異の起源(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 23aYD-14 シリコン酸化物中の余剰原子および欠陥の拡散挙動 : 第一原理分子動力学計算からのアプローチ
• 29aZE-12 低速電子を入射された低温氷中での CO の化学反応 : 第一原理計算からのアプローチ
• 26pTH-4 エチレン終端Si(100)基板に吸着したF_4-TCNQの電子状態と配向 : 高分解能XPSとNEXAFSによる研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• OME2000-54 原子レベルで制御されたハイブリッド構造の創成と物性探索
• 19pPSB-43 「1,4-シクロヘキサジエン/Si(001)面」系を利用した2次元反応場におけるハロゲン分子付加反応の第一原理計算からの予測
• 22aWB-1 Si(001)上の不飽和環式炭化水素吸着を用いた表面デザインの可能性
• 24pY-8 Si(001)表面における環式炭化水素吸着の第一原理計算
• 28pTG-2 計算機シミュレーションによる固液界面近傍の電解質水溶液の構造の解明II(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pBB-2 NaCl水溶液における固液界面の影響の理論的検討(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク