GHzナノテクノロジーに関するCoFeB-SiO2グラニュラー磁性薄膜材料の開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
1998年以来,長年CoFeB-SiO2ナノグラニュラー磁性薄膜の研究開発を行ってきた.そもそもは,高電気抵抗を持つ磁性材料として1GHzを超えて機能を果たす超高周波・超低損失材料として開発を始めたのがきっかけであった.以後12年間,この材料を中心にして,連続して文部科学省・総務省および本学・国内企業などから研究資金の支援・援助を得ながら現在までに至っている. 本学EE(Energy Electronics)研究所では,創立以来一貫して今日のエネルギー・環境の問題を予見し,そのためのエネルギーエレクトロニクス技術を開発してきた.その研究・教育活動によって社会・企業に貢献する多くの人材を輩出し,さらに関連するグリーンIT,ナノテクノロジーをそれぞれの分野で発展させてきた. 特にナノテクノロジーのその間の進歩については,学術論文のほか解説やトピックスとして,日本磁気学会誌,EE研(セミナー)報告,電気学会(マグネティックス研究会)誌などに逐次掲載し,最近ではその技術が共立出版の図書にも掲載されるようになった.一面,自分の仕事が教科書のような図書の内容となることは微笑ましいことであると感じられる一方,その内容が公知であるがもはや古くて使い物にならないのではないかという印象も与えてしまう危険もあり,著者には正直のところ何か釈然としない複雑な印象を持ちながら今日に至っている. 本総説の一部は,本学の紀要の論文として5年ほど前に英文で紹介した経緯もあるが,決して古(いにしえ)の材料創生ではなく,現在も現役発展中のナノテクノロジーに成長している.ナノテクノロジーは,エレクトロニクス関係の日本人科学者が35年前に銘々した科学技術の総称で,原子一個一個を人工的に並べて自然界にはない全く新しい素材,材料物質を創生する先端科学技術である. この技術は,ナノサイエンスに至る壮大な日本独自の科学技術に発展していることは言うまでも無い.その証拠は近年のノーベル物理・化学賞に多数の日本人が選ばれており,1905年からのノーベル賞受賞者総数が世界の国別で日本が3〜5位に入っている点である.その受賞内容の殆どが物質・材料創生に関わっていることは単なる偶然ではない.現在の世界の先端医学・薬学・生命学の基礎手段においてもナノサイエンス・情報テクノロジーが重要な役割を果たし始め,その社会的意義や波及効果が拡大しつつあるからであると思われる. 日本企業の多くが海外に工場を移し,なおも厳しい世界不況の影響と円高に見舞われている昨今であるが,日本国内の素材・材料の製造企業に関しては世界シェアー60〜70%以上を誇る優良企業も少なくない.この素材・材料が外国のデバイス製造企業に供給され,国際競争力のある製品の高度品質化・低コスト化が実現されていることも無視できない事実となっている.ナノテクノロジー,ナノサイエンスを中心とした日本の素材・材料開発企業は依然高い国際競争力を維持している. 近年,CoFeB-SiO2グラニュラー磁性薄膜の磁気特性が,エネルギーエレクトロニクスITのマイクロデバイス化で非常に注目され,この種のCoFe系-SiO2グラニュラー磁性薄膜を用いたマイクロデバイス試作とデバイスシミュレーションの研究開発が世界にまで広がっている. 本稿では,ナノ構造磁性体の草分けとしてCoFeB-SiO2グラニュラー磁性薄膜の自主開発の経緯と現在盛んなデバイス基礎と応用について総説した。 なお,本総説の内容と使用されているデータ・図は,過去から今日までの自分自身および協力研究者の発表データを総括したもので,著作権についてはすでに譲渡・掲載許可を得ているものである.その点についても,各方面に謝意を表する次第である.
- 2010-03-31
著者
関連論文
- Fe_Co_薄膜の結晶配向と磁気特性
- 携帯電話用CoFeB磁性薄膜方向性結合器の大振幅信号伝送特性(計測・高周波デバイス)
- 携帯電話用CoFeB磁性薄膜方向性結合器の大振幅信号伝送特性の評価
- CoFeB磁性薄膜伝送線路を用いたマイクロ波帯π型ローパスフィルタの試作
- CoFeB磁性薄膜を用いた携帯電話RF回路用方向性結合器の特性改善
- 磁性薄膜/誘電体膜積層ハイブリッド伝送線路方向性結合器の特性解析
- 携帯電話用磁性薄膜方向性結合器の基礎検討
- 携帯電話PA用インピーダンス整合器への適用を目的としたCoFeB/ポリイミドハイブリッド薄膜コプレーナ線路の低損失化
- CoFe膜の異方性磁界におけるRuおよびCu下地層の影響
- Ni/Pt4層膜における垂直磁気異方性(薄膜・微粒子・多層膜・人工格子)
- カルーセルスパッタ法で作製したCoFeB膜とCoFeSm膜の異方性入射効果
- カルーセルスパッタ法で作製したCoFe膜における高異方性磁界と結晶配向
- カルーセルスパッタ法で作製したCoFeB膜におけるスパッタ粒子の異方性入射効果
- スパッタ粒子堆積シュミレーションによるCoFeB膜の異方性磁界の検討
- 一軸磁気異方性CoFeB薄膜の磁壁移動特性(薄膜・微粒子・多層膜・人工格子)
- Bを添加したCoFe膜の異方性磁界におけるRu下地層の効果
- カルーセルスパッタ法における異方性入射粒子の形成と堆積に及ぼす下地層の影響
- GHzナノテクノロジーに関するCoFeB-SiO2グラニュラー磁性薄膜材料の開発
- ミアンダ形プローブを用いた10.6GHzまでの薄膜透磁率計測
- カルーセルスパッタ法で作製したCoFe系GHz帯磁性薄膜の異方性入射効果と原子配列
- マイクロストリップ型プローブによる薄膜透磁率計測の広帯域化
- マイクロストリッププローブによる表皮効果を利用した薄膜透磁率計測