フォトニック結晶を用いた光RAM用メモリ素子の小型化に関する研究 : フォトニック結晶における多モード光干渉(MMI)現象の基礎的検討(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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将来の高集積化が可能な光RAM(Random access memory)素子を実現するために,小型化が可能な光RAM素子の候補として横モード間(0次-1次モード間)双安定アクティブMMI(multi-mode interferometer)レーザーを提案している.更なる小型化への検討として,フォトニック結晶導波路適用のための基礎的検討を行った.今回検討対象とした二次元フォトニック結晶導波路に対しては,屈折率導波に基づくMMI(multi-mode interference)理論式をそのまま適用して導波路設計することができない為,仮想的な屈折率差を用いた理論式がこれまで提案されている.そこで本報告では,二次元フォトニック結晶導波路において,0次モードだけでなく,1次モードの自己結像についてもこの仮想的屈折率差に基づくMMI理論式が適用できるかどうか検討した.その結果,(1)0次モード,1次モード共に,分散曲線が線形変化する範囲であれば,仮想的屈折率差に基づくMMI理論式が適用できる,(2)前記(1)に基づき,従来報告の1/25以下の素子サイズで横モード間双安定型アクティブMMIレーザーの設計が可能である,ということを確認したので報告する.
- 2011-01-20
著者
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