1xN型Active MMIによるフェーズロックアレイレーザー(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
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概要
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半導体レーザーによるエネルギー空間伝送を目標に、フェーズロックアレイレーザーとフェーズドアレイとの組み合わせを検討している。今回、フェーズロック機能付きの高出力半導体レーザーとして1xN型のActive MMIレーザーを試作し、その高出力化及びフェーズロック状態を確認したので報告する。一般に、MMI分岐回路で光出力をN分岐した場合、各出射端での光の位相は一致しない。このため、1xN MMI導波路構造をそのままレーザー構造としただけでは、共振構造とならない。そこで今回、位相整合領域を集積した構造を新たに提案し、この位相整合領域を有するActive MMIレーザーを設計・試作(λ=1.31μm)した。結果、1x3 Active MMIレーザーにおいて、シングルモードレーザーと比較して、過大な量子効率の低下なく最大光出力が約200mW増加したことを確認し、またフェーズロック状態で発振していることを確認することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-16
著者
-
浜本 貴一
九州大学 総合理工学府
-
浜本 貴一
九州大学総合理工学府
-
日隈 康裕
九州大学総合理工学府
-
岡本 和倫
九州大学総合理工学府浜本研究室
-
岡本 和倫
九州大学総合理工学府
-
福田 鉄平
九州大学総合理工学府
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