E112 高濃度オゾン液膜を用いた回転平盤上のレジスト除去に関する研究(OS-10 混相流動(1),一般講演,地球温暖化防止と動力エネルギー技術)
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概要
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The photo resist stripping process in photo lithography plays an important role in manufacturing large-scale integration. In the present study, experimental information is obtained to establish high-concentrated ultra pure ozonized water technology for stripping the photo resist, in stead of chemicals such as sulfuricacid or hydrochloric acid. In the experiment, rotating flow of the ozonized water on the photo resist is irradiated by excimer light, wave length is 222 nm. Ozonized water supplied by cleansing nozzle on the rotating wafer forms liquid film flow. After the process, the thickness of unremoved photo resist on the wafer is measured by ellipsometer. As the result, it is clarified that adjusting the irradiation of excimer light and the control of flow on silicon wafer is inevitable to accomplish high efficiency of photo resist removal rate.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2008-06-18
著者
-
阿部 豊
筑波大学大学院システム情報工学研究科
-
藤森 憲
筑波大学産学リエゾン共同研究センター
-
藤原 暁子
筑波大
-
池 昌俊
(株)つくばセミテクノロジー
-
藤原 暁子
筑波大学
-
阿部 豊
筑波大
-
八木 崇宏
筑波大院
-
池 昌俊
つくばセミテクノロジー
-
藤森 憲
筑波大リエゾン
-
八木 崇宏
筑波大学大学院システム情報工学研究科
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