1474 同軸円盤間の回転流れに関する研究(S37-3 混相流動のダイナミックス(3),S37 混相流動のダイナミックス)
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概要
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The photo resist stripping process in photo lithography plays an important role in manufacturing large-scale integration. In the present study, experimental information is obtained to establish high-concentrated ultra pure ozonized water technology for stripping the photo resist, in stead of sulfuric acid, hydrochloric acid etc. In the experiment, rotating flow of the ozonized water on the photo resist is established with the irradiation by excimer light. Ozonized water on the rotating wafer forms liquid film flow. After the process, the thickness of unremoved photo resist on the wafer is measured by ellipsometer. As the result, it is clarified that the irradiation of excimer light and the control of flow on silicon wafer contribute high efficiency of photo resist removal rate compared to merely ozonized water.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2007-09-07
著者
-
阿部 豊
筑波大学大学院システム情報工学研究科
-
藤森 憲
筑波大学産学リエゾン共同研究センター
-
藤原 暁子
筑波大
-
池 昌俊
(株)つくばセミテクノロジー
-
藤原 暁子
筑波大学
-
阿部 豊
筑波大
-
八木 崇宏
筑波大院
-
池 昌俊
つくばセミテクノロジー
-
藤森 憲
筑波大リエゾン
-
八木 崇宏
筑波大学大学院システム情報工学研究科
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