埋め込み型高速電荷転送フォトダイオードを用いたTOF距離画像センサの試作(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
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概要
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本稿では,埋め込み型高速電荷転送フォトダイオードを用いたTime-of-Flight(TOF)距離画像センサの駆動方法,画素構造及び試作について述べる.提案する駆動方法は、デューティー比が小さくパルス幅の短いLEDパルス光を対象物に照射し,その反射光をTOF距離画像センサで受光する.受光素子から電荷蓄積部までの高速電荷転送はTOF距離画像センサ等に必須の技術である.フォトダイオード内に一定の転送方向の電界を発生させることで高速電荷転送が可能となり,完全空乏化電位とフォトダイオードの幅の関係に従いフォトダイオードの形状を決めることで高速電荷転送を埋め込みフォトダイオードで実現できる.埋め込み型高速電荷転送フォトダイオードを用いたTOF距離画像センサの試作を行い,画素における信号パルスと信号出力との関係を測定した.
- 2009-09-24
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