11-6 高速電荷転送のための埋め込みフォトダイオード構造の検討(第11部門 情報センシング1)

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概要

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• This paper presents a new type of buried photodiode structure for high speed charge transfer .The structure has stepwise n layer and p-well layer.They generate a fringing field in buried photodiode. Fringing field distributions and charge transfer characteristics of the structure are investigated with simulations.

• 一般社団法人映像情報メディア学会の論文
• 2008-08-01

著者

• 川人 祥二

  静岡大学電子工学研究所

• 澤田 友成

  静岡大学創造科学技術大学院

• 竹下 裕章

  静岡大学

• 伊藤 佳奈

  静岡大学

• 岩堀 智洋

  静岡大学

• 伊藤 佳奈

  静岡大学大学院

• 澤田 友成

  静岡大学

• 竹下 裕章

  静岡大学大学院

• 岩堀 智洋

  静岡大学大学院

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