量産検査のIDDQによる欠陥検出力(半導体材料・デバイス)
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概要
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拡散プロセスが微細化し,1トランジスタ当りの漏れ電流が大きくなることと,1ダイ上のトランジスタ数が増えることの二つの動向によって,VLSI(Very large scale integration)上の欠陥を検出するためのIDDQ(Quiescent power supply current)の絶対値判定が困難になってきている.そこで,様々な統計的手法が提案されている.本論文では,まずは,プロセスばらつきによるIDDQ分布がIDDQの平均値が増えた場合どうなるかを示し,次に,IDDQの分布をガンマ分布として近似し,良品/不良品を判定する手法を提案する.そして,各種IDDQテスト手法の欠陥検出率がどのくらいになるかの理論付けを行う.実証結果によって,ガンマ分布近似法が効果的であることを示し,更に,IDDQの欠陥検出率の理論が妥当であることを示す.
- 2009-10-01
著者
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