17pB12 Molecular beam epitaxy of c-plane wurtzite GaN on nitridized a-plane β-Ga_2O_3(NCCG-35)
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概要
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- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
-
島村 清史
早稲田大学各務記念材料技術研究所
-
島村 清史
独立行政法人 物質・材料研究機構 光材料センター
-
島村 清史
(独)物質・材料研究機構 物質研究所
-
島村 清史
物材研
-
北村 健二
株式会社SWING
-
北村 健二
独立行政法人 物質・材料研究機構 光材料センター
-
Villora E.
物材機構
-
島村 清史
物材機構
-
北村 健二
物材機構
-
北村 健二
独立行政法人物質・材料研究機構
-
北村 健二
物質・材料研究機構
-
北村 健二
物質・材料研究機構 物質研究所
-
北村 健二
(独)物質・材料研究機構 物質研究所
-
島村 清史
NIMS
-
北村 健二
(独)物質・材料研究機構 光学単結晶グループ
-
北村 健二
無機材質研究所第13研究グループ
-
青木 和夫
(株)光波
-
一ノ瀬 昇
早大・理工
-
Villora E.G.
早大・材研
-
Villora E.
独立行政法人 物質・材料研究機構 光材料センター
-
Villora E
物材機構
-
青木 和夫
株式会社光波
-
北村 健二
独立行政法人物資・材料研究機構
-
一ノ瀬 昇
早稲田大学 理工学部
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