26aB04 GaN用基板としてのβ-Ga_2O_3の単結晶育成と評価(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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Transparent conductive β-Ga_2O_3 single crystals with 30mm in diameter have been grown by the FZ technique. GaN-system epitaxial films have been deposited by the MOCVD technique on cut and polished β-Ga_2O_3 single crystal wafers. Preliminary GaN-system/β-Ga_2O_3 LEDs with vertical current flow emitted blue light.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
島村 清史
早稲田大学各務記念材料技術研究所
-
島村 清史
独立行政法人 物質・材料研究機構 光材料センター
-
島村 清史
(独)物質・材料研究機構 物質研究所
-
島村 清史
物材研
-
島村 清史
NIMS
-
青木 和夫
(株)光波
-
島村 清史
早大・材研
-
一ノ瀬 昇
早大・材研
-
Villora E.G.
早大・材研
-
Villora E.
独立行政法人 物質・材料研究機構 光材料センター
-
Villora E
物材機構
-
青木 和夫
株式会社光波
-
一ノ瀬 昇
早稲田大学 理工学部
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