25pPSB-17 第一原理計算によるAu/Si(111)微斜面の安定構造評価(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-08-18

著者

• 渡邉 聡

  東大工

• 野田 真史

  分子研

• 門平 卓也

  東大工:科学技術振興機構crest

• Fischer Chris

  Mit

• 野田 真史

  東大工

• Ceder Gerbrand

  MIT

関連論文

• 23aPS-1 ピラジン-ナトリウムクラスターの表面プラズモン励起の実時間ダイナミクス(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
• 20pEL-13 実時間・実空間TDDFTによる分子の光吸収振動子強度分布に対する大規模並列計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21pRA-6 ナノスケール構造のキャパシタンスの第一原理計算
• 24aPS-2 実空間第一原理計算によるナノスケール系の電界
• 25aYG-6 ナノチューブ、ナノワイヤの多端子伝導に表れる量子干渉効果の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-17 密度汎関数強束縛法を用いた4端子測定のシミュレーションIII(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-37 密度汎関数強束縛法を用いた4端子測定のシミュレーションII(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-19 固体酸化物中のイオン伝導における表面/界面効果の第一原理シミュレーション(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-136 面状欠陥が存在する高温超伝導体における磁束ダイナミクスの分子動力学シミュレーションII(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pPSB-16 第一原理計算によるAlポイントコンタクトの電気伝導特性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-59 原子点接触構造のキャパシタンスとコンダクタンス(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pXJ-10 局所トンネル障壁高さへのNaクラスタの影響(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-8 Al原子鎖の電気特性に不純物原子が与える影響(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-6 第一原理計算による電極表面ナノ構造の静電容量(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-10 原子シートの電気伝導(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-9 ジェリウム電極に働く力の電極間距離およびバイアス電圧依存性の第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-8 Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性III : 不純物による効果(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-7 NC-AFM探針-試料間に誘起する変位電流によるジュール熱の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWB-3 Al表面上のトンネル障壁高さ像の解析(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-121 Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性II : 原子鎖と電極の相互作用による効果(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-120 ジェリウム薄膜における電気伝導の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-16 Al 表面上のトンネル障壁高さの理論解析 : 測定法の違いについて(領域 9)
• 13aXG-4 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算 IV(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
• 31p-YF-9 Si(111)7×7表面に供給したSi単原子位置の解析
• 30aYE-8 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算III(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 20aPS-9 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算 II : 電極表面原子構造依存性
• 28pPSB-11 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算
• 23aTD-3 ケルビン力顕微鏡の探針に働く力の第一原理計算(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTD-9 密度汎関数強束縛法を用いた四端子測定のシミュレーション(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-12 ナノスケール間隔の電極に働く力のバイアス電圧依存性に関する第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-17 密度汎関数強束縛法を用いた多端子伝導シミュレータの開発(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30aPS-7 ジェリウム電極に働く力の電極間距離およびバイアス電圧依存性の第一原理計算による解析II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-1 金属表面からの電界電子放出電流の第一原理計算
• 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
• 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
• 25a-YM-3 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散の理論的研究
• 27pPSA-34 cBN薄膜成長過程の第一原理計算による研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 30aPS-21 強束縛法による多探針STM電気伝導のシミュレーションII(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-135 強束縛法による多探針STM電気伝導のシミュレーション(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 29a-PS-21 水素終端Si(100)表面上水素欠陥周辺の吸着原子の振舞い : 理論計算による検討
• 24pPSA-25 計算機シミュレーションによるDihydride-Si(001)表面の非接触原子間力顕微鏡像(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-96 Si(111)DAS構造の原子間力顕微鏡像のシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pTG-2 強束縛近似による水素終端Si表面の原子間力顕微鏡像のシミュレーション(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYC-7 メチル終端Si表面のAFMシミュレーション(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pYB-4 メチル基不純物を含む水素終端Si表面のAFMシミュレーション(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-45 DFTB法による有機分子/Si表面のSPMシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29a-PS-5 Si(001)表面上におけるAg吸着構造の第一原理計算による評価
• 24aPS-165 2つの金電極間のベンゼンジチオレートの安定構造と電気伝導の理論計算(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 20aPS-41 Au(111)-チオール系有機分子クラスターの理論計算 (2)
• 30p-YF-11 拡張Δ鎖上のHubbardモデルの強磁性
• 20aPS-18 Si(100)表面の理論研究 : トンネルコンダクタンスと局所トンネル障壁高さ(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30aYE-7 トンネル障壁高さへの探針原子種の影響 : バイアス電圧依存性について(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 20aPS-10 トンネル障壁高さへの探針原子種の影響
• 28pPSB-8 Al 表面のトンネル障壁高さのバイアス電圧依存性
• 日本表面科学会編, ナノテクのための物理入門(ナノテクノロジー入門シリーズIII), 共立出版, 東京, 2007, x+239p, 21×15cm, 本体2,700円, [大学院向], ISBN 978-4-320-07172-8
• 24aPS-109 面状欠陥が存在する高温超伝導体における磁束ダイナミクスの分子動力学シミュレーション(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aXK-4 電極間分子架橋系の電流特性における溶媒効果に関する理論的研究II(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-60 電極間分子架橋系の電流特性における溶媒効果に関する理論的研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√x√)R30°-Sn表面の評価
• 21aPS-85 フラーレン架橋の非弾性電子輸送と分子運動制御(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSB-6 分子架橋における電子波束の時間発展の理論計算
• 20aPS-35 Si(775)表面上に形成されたAu/Si(111)5×2構造の安定性評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aYC-4 密度汎関数強束縛法によるナノ構造・表面電気特性プログラムの開発(I)(24aYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-17 第一原理計算によるAu/Si(111)微斜面の安定構造評価(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pYE-6 第一原理計算によるAu/Si(111)表面の安定構造評価(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pWP-3 第一原理計算によるAu/Si(111)-α(√×√)表面構造の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 31pZE-9 Al 原子鎖の有限バイアスでの電気特性
• 25pWD-3 金属表面からの電界電子放出電流の第一原理計算II
• 27pPSA-3 Na原子鎖コンダクタンスへの電極間距離と構造最適化の影響(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27aXD-5 ナノスケール物質の電気伝導特性に及ぼす電子 : フォノン散乱の影響(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-73 ナノスケール伝導体の電流による熱発生(領域 9)
• 28pPSB-26 Au (111)-チオール系有機分子クラスターの理論計算
• 22aPS-61 時間依存密度汎関数理論に基づく銀・分子複合クラスターの電子ダイナミクス(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26aPS-60 時間依存密度汎関数法による巨大銀クラスターの光学応答計算(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 20aPS-16 強結合法による 3 電極間分子の電流分布計算 II
• 28pPSB-5 強束縛法による 3 電極間分子の電流分布計算
• 26aPS-91 量子ポイントコンタクトにおける交流応答の形状効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWF-2 双晶存在下における超伝導磁束のダイナミクスと臨界電流(磁束量子系,接合系など(理論),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 24aPS-83 双晶存在下における超伝導磁束のダイナミクスの分子動力学シミュレーション(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aXA-2 ぺロブスカイト型強誘電体のドメイン構造に関する第一原理計算(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 29aXK-4 非平衡グリーン関数法による時間依存ハートリー近似下での量子輸送特性シミュレーション(29aXK ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 6pPSB-10 Al(100)面上の欠陥位置でのトンネル障壁高さの理論解祈(表面界面結晶成長,領域9)
• 25pPSB-33 Si(111)√×√-Ag表面構造に与える表面欠陥の影響(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 25pPSB-38 金表面上の有機分子の構造の理論計算(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 25pPSB-46 電荷誘起グラファイト・ダイアモンド転移 : 第一原理計算による予測(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク