高電力下における抵抗皮膜を用いたλ/4型電波吸収体の温度分布に関する解析および実験的検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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本研究では, FDTD法, Semi-Implicit Method for Pressure Linked Equations(SIMPLE)法, Monte Carlo法およびRadiative Energy Absorption Distribution(READ)法をそれぞれ連成することで, 電磁界と全ての伝熱現象(熱伝導, 熱伝達, 熱放射)を考慮可能な電磁界伝熱連成解析手法(以下, FDTD-SIMPLE-MR法と呼ぶ.)を開発した.そして, 高電力下における抵抗皮膜を用いたλ/4型電波吸収体の温度分布について, FDTD-SIMPLE-MR法と従来の熱連成手法を用いて計算を行った.また, 高出力RF装置を用いて高電力を制作したλ/4型電波吸収体に照射し, 得られた電波吸収体の温度分布の解析値と実験値を比較検討した.この結果, FDTD-SIMPLE-MR法による吸収体の温度分布の計算結果は実験値と良好に一致し, 電磁界と全ての伝熱現象(熱伝導, 熱伝達, 熱放射)を考慮可能な連成解析手法である, FDTD-SIMPLE-MR法の有効性を確認することができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-13
著者
-
橋本 修
青山学院大学
-
渡邊 慎也
青山学院大学
-
斉藤 寿文
TDK株式会社 テクニカルセンター
-
斉藤 耕太
青山学院大学
-
谷口 晶俊
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
斎藤 寿文
Tdk株式会社
-
谷口 晶俊
青山学院大学
-
斉藤 耕太
青山学院大学理工学部
-
斎藤 耕太
青山学院大学理工学部
-
斉藤 寿文
Tdk株式会社
-
齋藤 耕太
青山学院大学理工学部
-
橋本 修
青山学院大 理工
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