光通信用QPM-LN波長変換器の作製とその応用
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概要
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疑似位相整合LiNbO_3(QPM-LN)波長変換器の光耐性の問題を解決するために、ZnOドープLN基板を用いた素子を作製し、ノンドープ基板を用いた場合と比較することによりフォトリフラクティブ効果の影響について調べた。ZnOドープ基板では、室温でのQPM波長シフトが3分の1に抑制できた。ZnOドープ素子では温度60℃でシフトが測定限界以下となった。この高光耐性ZnOドープ素子を用いてピコ秒パルスによるパラメトリック増幅実験を行い12dBの利得が得られた。またQPM-LN波長変換器の2段階変換に基づく光周波数シフタを提案すると共に、2つの励起光の光周波数差に応じた1THzという広帯域シフト動作を実証した。
- 2002-04-26
著者
-
鈴木 博之
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
鈴木 博之
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
宮澤 弘
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
忠永 修
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
西田 好毅
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
遊部 雅生
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
宮澤 弘
NTTエレクトロニクス(株)光回路事業部
-
遊部 雅生
NTTフォトニクス研究所
-
遊部 雅生
NTT光エレクトロニクス研究所
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