擬似位相整合 LiNbO3導波路を用いた1.55μm帯波長変換素子
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概要
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本報告では擬似位相整合LiNbO3(QpM-LN)導波路を用いた波長変換素子の概要と現在の研究状況について述べる。熱処理プロトン交換法による導波路素子の波長変換特性、光損傷耐性、パラメトリック増幅特性について述べ、さらにエピタキシャル成長基板を用いた導波路素子による偏波無依存動作について報告する。
- 2002-08-23
著者
-
鈴木 博之
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
鈴木 博之
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
宮澤 弘
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
忠永 修
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
西田 好毅
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
遊部 雅生
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
宮澤 弘
NTTエレクトロニクス(株)光回路事業部
-
遊部 雅生
NTTフォトニクス研究所
-
遊部 雅生
NTT光エレクトロニクス研究所
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