結晶成長炉のシミュレーション(<小特集>高品質半導体結晶製造)
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概要
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For production of high quality silicon single crystals, characteristics of the Czochralski (Cz) furnace must be well understood to realize optimization of operating conditions. The high temperature operation and the highly reactive nature of silicon melt prevent detailed experimental investigation. The first numerical simulation was developed 1970. This article reviews the numerical simulations of Cz furnace and also reports some part of the global simulation of silicon Cz furnace. The simulation codes were developed by the cooperation of researchers of 5 universities, supported by JSUP and NEDO since 1996.
- 2000-06-15
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