Spindt型Mo FEAデバイスのチップ高さによる電気特性の変化
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概要
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Spindt型Mo FEAデバイスを作製し, 異なるチップ高さによる電気特性の変化について検討した。まずデバイスのモデルに基づいたポテンシャルと電界分布のシミュレーションを行った。チップの高さによりチップ先端部の電界強度が変化することが分かった。ゲート電極から突き出したチップ先端部の電界強度は, 通常のFEAデバイスに比べ, アノード電極の高さとアノード電位の影響が大きいことが分かった。さらに, モデルに従って計算した結果は, デバイスの測定結果と良い一致を示した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1999-07-09
著者
-
柴田 幹
富山大学 工学部
-
岡田 裕之
富山大学理工学研究部
-
女川 博義
富山大学理工学研究部
-
羅 永春
富山大学理工学研究科
-
柴田 幹
富山大学理工学研究科
-
Onnagawa Hiroyoshi
Department Of Electronics And Computer Science Toyama Universiry
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