解析にエリアモデルを用いたSpindt型Mo FEAの電子放出特性
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概要
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作製したSpindt型Mo FEAデバイスの電子放出特性と計算した結果との比較を行った.ここで,我々はデバイス構造に基づいたモデルの解析に用いるチップのエリアモデルを提案し,更に計算精度を高める広義的な因子ψを定義することにより妥当な計算結果を得た.また実験データに基づくファウラー-ノルドハイム式による各種特性のシミュレーションを行った.モデルに従って計算した結果は,素子のSEM観察に基づく実験結果とよい一致が見られ,これに基づきより微細な尖鋭度を有するデバイスのチップ径が推定できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-25
著者
-
柴田 幹
富山大学 工学部
-
女川 博義
富山大学理工学研究部
-
岡田 裕之
富山大学大学院理工学研究部
-
羅 永春
富山大学理工学研究科
-
羅 永春
富山大学大学院工学研究科
-
磯田 淳平
富山大学大学院工学研究科
-
柴田 幹
富山大学大学院工学研究科
-
女川 博義
富山大学大学院工学研究科
-
岡田 裕之
富山大学大学院理工学教育部電気電子システム工学専攻:富山大学自然科学研究支援センター
-
Onnagawa Hiroyoshi
Department Of Electronics And Computer Science Toyama Universiry
-
岡田 裕之
富山大学大学院理工学教育部:富山大学自然科学研究支援センター
-
岡田 裕之
富山大学大学院理工学教育部
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