イオン注入法を用いたSiナノクリスタルのサイズ制御と領域選択成長(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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Siナノクリスタル(Si-NCs)を利用した量子効果デバイスのためには、Si-NCsのサイズや配置を1原子レベルで精密制御する必要がある。我々は、イオン注入と結晶核形成アニール、Nd:YAGパルスレーザによるアニールによって、Si-NCsをSiO_2薄膜中に形成し、直径3.8nm±0.3nm(サイズ分布±8%)のサイズ均一性を達成した。さらに、電子線描画を用いて作製したイオン注入用Feマスクを用い、Si-NCsの形成領域を100nmオーダで選択的に制御したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-14
著者
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
桂 洋介
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科光機能素子科学講座
-
中間 勇二
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科光機能素子科学講座
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
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