金属ストリップグレーティングを用いた光制御型ミリ波・サブミリ波変調器の光入力パワー依存性
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概要
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ミリ波・サブミリ波の半導体基板を用いた光制御法は、実用的なスイッチや変調器等をこの周波数帯で実現可能とする有用な方式である。低不純物濃度のシリコン(Si)は、この周波数帯で低損失であるため、光制御用半導体基板として適しているが、光励起キャリヤの寿命が数μs以上と長く、応答速度が遅いという欠点を持つ。我々は、外部電界を印加した金属ストリップグレーティングを利用し、この低応答速度の問題を解決する方式を提案した。今回は、この変調器の入射光パワー依存性をミリ波帯で測定し、その変調度特性を明らかにしたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
藤井 哲
新日本無線株式会社
-
〓 鐘石
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
〓 鐘石
東北大学、電気通信研究所
-
水野 皓司
東北大学、電気通信研究所
-
鵜生 高徳
東北大学、電気通信研究所
-
藤井 哲
東北大学、電気通信研究所, 理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
-
前崎 高純
東北大学、電気通信研究所
-
鵜生 高徳
株式会社デンソー開発部開発2室
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