金属ストリップグレーティングを用いた光制御型ミリ波・サブミリ波変調器

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概要

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ミリ波・サブミリ波帯の光制御型高速変調器として、金属ストリップ変調器を提案し、その有用性をミリ波帯で実験的に確認した。この変調器は、シリコン基板上の金属ストリップグレーティングのフィルター特性と金属ストリップ間に印加した直流電圧による効果とを組み合わせて、高感度高速変調器を実現するものである。実験の結果、誘導性金属ストリップ変調器は、周波数58GHzにおいて、金属ストリップ構造を持たないシリコン変調器に比較し、3倍以上高い変調度を、同じ光励起パワーに対し得られること、またストリップ間に15Vの電圧を印加することで、使用可能な最大繰り返し変調周波数を一桁以上上昇し得ることを明らかにした。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-10-20

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