裏面入射型InGaAs/InP-pinフォトダイオードのポリイミドによるパッシベーション
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概要
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これまでに、我々は裏面入射型InGaAS/InP-pinフォトダイオードの暗電流の低減を検討してきた。そして、従来のメサ型構造から、メサエッチング工程が不要なプレーナ型構造をとることによって、暗電流を低減できたことを報告してきた。ここでは、プレーナ型フオトダイオードのパッシベーション膜をポリイミドとすることにより、バイアス電圧変化に伴う暗電流の増加を低減できたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
山本 直樹
富士通株式会社
-
乗松 正明
株式会社富士通研究所
-
乗松 正明
(株)富士通研究所
-
牧内 正男
株式会社富士通研究所
-
山本 直樹
(株)富士通研究所
-
牧内 正男
(株)富士通研究所
-
矢野 光博
(株)富士通研究所
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