選択電気メッキ法によるフリップチップ受光素子の接続バンプ形成
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概要
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フリップチップ接続実装を基本とした、裏面入射型InGaAs/InPプレーナPIN-PDアレイの検討を進めている。このPDアレイ上の接続バンプはIBE、リフトオフ法で作製してきたが、両者ともバンプメタルはウエハ全面にわたって融着され、その膜厚も制限されていた。このような製造上の問題を解決する方法としてP型オーミック電極層に直接電気メッキ法によってバンプを形成することを検討し良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
山本 直樹
富士通株式会社
-
乗松 正明
株式会社富士通研究所
-
乗松 正明
(株)富士通研究所
-
牧内 正男
株式会社富士通研究所
-
桜井 力
株式会社富士通研究所
-
山本 直樹
(株)富士通研究所
-
牧内 正男
(株)富士通研究所
-
矢野 光博
(株)富士通研究所
-
桜井 力
(株)富士通研究所
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