厚膜抵抗体におけるパルス電圧印加時の抵抗値変化の解析
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概要
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厚膜抵抗体における電気伝導のメカニズムの解析を,数値計算により行った.厚膜抵抗体では,高電圧,短時間のパルス信号を印加することにより,抵抗値が低下する特性がある.このメカニズムを明らかにするため,厚膜抵抗体の数値モデルに関する解析を行い,実験結果との比較を行った.解析に用いたモデルは,導体粒子と導体粒子同士を結ぶ導電経路とからなっており,導電経路の抵抗値は,導電経路間における印加パルス信号の電界強度が,しきい値を超えると低抵抗状態に遷移するものとした.解析の結果,上記モデルは厚膜抵抗体における高電圧パルス信号印加時の,抵抗値変化に関する実験結果に一致することがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-25
著者
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渡邊 道弘
(株)日立製作所機械研究所
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佐藤 和恭
(株)日立製作所 機械研究所
-
日置 進
日立粉末冶金(株)
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清野 太作
(株)日立製作所機械研究所
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佐藤 和恭
(株)日立製作所機械研究所
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日置 進
日立粉末冶金株式会社開発推進センタ
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渡邉 道弘
(株)日立製作所機械研究所
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