CVD-Ta_2O_5, ZrO_2膜の表面ラフネス低減

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概要

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• 薄いシリコン酸化膜上のTa_2O_5のCVD成膜ではインキュベーション時間があり、表面ラフネスが大きくなる。低温核付け(LTN)ステップと名付けた前処理を実行すると、シリコン酸化膜上の成膜でも表面ラフネスを大幅に改善できた。High-kゲート絶縁膜として期待されているZrO_2成膜についても同様の方法を試みた結果、インキュベーション時間を短縮することができたが、表面ラフネスの改善には限界があった。そこで、我々はZrプリカーサの吸着ステップと加水分解による側鎖分子の脱離ステップを交互に繰返すALD成膜を試みた結果、表面ラフネスを大幅に低減させる事ができゲート絶縁膜堆積プロセスとしてALD法が有効である事を見出した。同様に行なったZrシリケート膜成膜についても報告する。

• 2001-06-01

著者

• 神力 博

  東京エレクトロン(株)

• 高橋 毅

  東京エレクトロンat(株) 枚葉成膜システム開発本部

• 青山 真太郎

  東京エレクトロンAT(株)枚葉成膜システム開発本部プロセス開発プロジェクト

• 神力 博

  東京エレクトロンat(株)枚葉成膜システム開発本部

• 青山 真太郎

  東京エレクトロンat(株)枚葉成膜システム開発本部

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