Hf[N(C_2H_5)_2]_4を用いたMOCVDによるHfO_2膜の形成技術

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• SiO_2に代わるゲート絶縁膜として高誘電率ゲート絶縁膜の開発が進められている。その有力候補であるHfO_2膜をHf[N(C_2H_5)_2]_4を用いてMOCVD法により堆積した。高温、高酸素分圧でHfO_2膜中不純物の混入は減少し、SiON膜上では界面層の増膜をおこさずHfO_2膜の形成ができることがわかった。CV特性も、成膜温度の高温化により良好な特性を得ることができた。HfO_2膜の結晶化などのアニール条件依存性等についても報告する。

• 2002-06-14

著者

• 神力 博

  東京エレクトロン(株)

• 高橋 毅

  東京エレクトロンat(株) 枚葉成膜システム開発本部

• 久保 万身

  東京エレクトロンAT(株) 枚葉成膜システム開発本部

• 神力 博

  東京エレクトロンat(株)枚葉成膜システム開発本部

関連論文

• CVD-Ta_2O_5, ZrO_2膜の表面ラフネス低減
• 真空紫外光を用いた極薄界面酸化膜、酸窒化膜の形成
• Hf[N(C_2H_5)_2]_4を用いたMOCVDによるHfO_2膜の形成技術
• エタノール添加による枚葉式CVD-Ta_2O_5成膜速度の高速化

スポンサーリンク