反応性シールド型真空アークイオンプレーティングによるZnO膜生成

概要

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シールド型とステアド型とを併用した真空アーク蒸着装置を用いてZnO膜をガラス基板上に生成した。成膜時のアーク電流についてはDC30Aとした。陰極表面上で陰極点を駆動させるために陰極背面に配置する磁石は, 2種類(弱磁石, 強磁石:磁束密度で区別)とした。さらに, 成膜圧力を0.1〜0.5Paの範囲で変化させた。以上の条件で成膜した膜について以下のことが分かった。X線回折で結晶性を分析したところ, 全ての膜はZnO(200)のピークが強い, いわゆるc軸配向した多結晶膜であった。透過率の計測から, 弱磁石と強磁石のどちらの磁石を使用した場合も, 圧力0.5および3.0Paにおいて可視光領域で透過率の高い透明膜となることがわかった。四端子法で抵抗率を計測したところ, 強磁石の場合, 成膜圧力を増加させると, 抵抗率は10^<-3>から15Ωcmに変化することがわかった。一方, 弱磁石の場合, 抵抗率10^<-3>Ωcm台の膜を0.1〜1.0Paの広い圧力範囲に渡って生成することができた。
2000-05-12