a-SiNx:Hのアニールによるフォトルミネセンスと膜構造への影響
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概要
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シランとアンモニアのグロー放電分解により成膜した水素化非晶質シリコン窒化膜のアニール実験を行い、フォトルミネセンス(PL)特性の変化を調べた。アニールによりPLピークエネルギーはシフトする。その方向はアズーデポジション膜のPLピークエネルギーに依存し、光学的バンドギャップの変化に対応している。800℃アニールにより、膜中の水素結合量が減少し、Si-N結合量が増加した。成膜時のガス流量比が低い場合(NH_3, SiH_4=5)はSi-Si相は結晶化せず結合量が増加し、高ガス流量比領域ではSi-Si結合量は減少すると考えられる。PLピークエネルギーのシフトはSi-Si結合量の変化により決定される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-09
著者
-
脇田 和樹
大阪府立大学工学部電子物理工学科
-
中山 喜萬
大阪府立大学工学部電子物理工学科
-
中山 喜萬
大阪大学大学院 工学研究科
-
中山 喜萬
大阪府立大学工学部物理工学科
-
牧村 紳司
大阪府立大学工学部電子物理工学科
-
中山 喜萬
大阪府立大学大学院工学研究科
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