極薄酸化膜MOS界面の界面準位評価 : BT試験による界面準位発生のゲート膜厚依存性
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概要
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膜厚4.2nmの極薄ゲート酸化膜MOS構造のSi-SiO_2界面での界面準位密度(D_it>)評価をコンダクタンス法により実現した。通常、D_it>評価にはQuasi-StaticC-V法を用いるが、極薄ゲート膜試料には適用できない。絶縁膜をトンネルリークが流れ、変位電流測定が不正確になるからである。本方法は、D_it>を交流小信号に応答する等価並列コンダクタンスとして検出する。D_it>に起因する損失は周波数分散を持つので、周波数に依存しないゲートリーク損失は分離できる。様々な条件での-BT試験後、極薄膜化膜試料のD_it>発生量をゲート膜厚依存性に着目して評価した。D_it>発生量は試験温度及び電界に強く依存し、膜厚には弱くしか依存しない。極薄酸化膜MOSの特性劣化の主因はD_it>発生であると推察される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
小川 重男
日本電信電話株式会社ntt Lsi研究所ナノエレクトロニクス研究部
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塩野 登
シンポジウム実行委員会
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塩野 登
Ntt Lsi研
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嶋屋 正一
NTT LSI研究所
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嶋屋 正一
Ntt El研究所
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小川 重男
NTT LSI研究所
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