低温リーク電流評価によるLSIの異常リーク電流の検出
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概要
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M0Sデバイスの各種リーク電流を調べ、信頼性上問題となるゲート酸化膜リークやpn接合リーク電流には温度依存性がないこと、正常なMOSFETのサブスレッショルドリーク電流には著しい温度依存性があることを明らかにした。この現象を利用し、LSIのスタンバイ電流の温度依存性評価により正常LSIと異常リークを有するLSIを選別する方法(低温スタンバイ電流評価法)を提案した。低温スタンバイ電流評価法をMT-CMOS LSIに適用し、異常リークLSIを的確に選別可能であることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-13
著者
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