OBIC手法によるCMOS-LSIの故障解析

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
μAオーダーの微少リークを伴うCMOS-LSI故障箇所解析へのOBIC手法適用を図るため、MOSFETの故障状態とOBICの関係および大規模LSIにおけるリーク電流とOBIC信号との関係を検討した。その結果、MOSFETのゲート破壊が低バイアス電圧で検出可能など、OBICによる故障箇所検出では高バイアスよりも低バイアス印加が有効であることが明らかとなった。また、CMOS-LSIにおいては、スタンバイ電流の増大とOBIC信号の低下に相関があること、ウエルと基板間のpn接合の空乏層によるOBIC信号が強く、ウエル上あるいはウエル近傍のFETのOBIC信号をマスクすることが明らかとなった。このウエルの影響を避けるには、レーザー光の短波長化が有効である。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-09-17

著者

関連論文

スポンサーリンク