分子動力学シミュレーションによるプラズマエッチング表面反応機構の解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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反応性プラズマによるエッチングプロセスは半導体製造過程で幅広く用いられているが、その表面反応機構に関しては未知な部分が多い。本研究では、古典的分子動力学(MD)シミュレーションを用いて、高い運動エネルギーをもつ入射ビームと、運動エネルギーの小さな中性ガス、および材料表面との相互作用を解析することにより、その表面反応機構を理解する。本講演では、主として、有機ポリマー材料と水素・窒素・炭素を含むラジカルビームとの相互作用について議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-09-21
著者
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