共振器内部型受動QスイッチNd:YAGレーザー
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概要
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全固体の半導体レーザー励起CW Nd:YAGレザーを開発し, Cr^<4+>:YAGによる可飽和吸収型受動Qスイッチ特性, さらにLBOを用いた共振器内部SHG特性について検討を行った.実験的には波長532nmで263μJ, 87.8ns, 平均出力1Wを得た.この時のパルス形成過程を可飽和吸収型Qスイッチレーザーの共振器内部に配置したSHG結晶を含めたレート方程式を解析することで求めた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-18
著者
-
平等 拓範
自然科学研究機構分子科学研究所
-
栗村 直
物質・材料研究機構:早稲田大学先進理工学研究科
-
栗村 直
分子科学研究所
-
平等 拓範
分子科学研究所
-
齋川 次郎
分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター
-
庄司 一郎
分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター
-
TAIRA Takunori
Laser Research Center, Institute for Molecular Science
-
庄司 一郎
中央大学理工学部
-
栗村 直
独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
Pavel Nicolaie
分子科学研究所分子制御レーザー開発研究センター
-
Taira Takunori
Laser Research Center For Molecular Science Institute For Molecular Science
-
平等 拓範
Laser Research Center, Institute for Molecular Science
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