多結晶Nd:YAGセラミックスを用いた高性能マイクロチップレーザー
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概要
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Nd-heavily-doped-YAG ceramic with high transparency was fabricated by a simple solid-state reaction method using high purity powders of Al_2O_3, Y_2O_3, and Nd_2O_3. The optical absorption coefficient of 4.8 at% Nd:YAG ceramic (at wavelength of 808 nm) was 16.5 cm^<-1> which was remarkably higher than that of 1.0 at% Nd:YAG single crystal by the Czochralski method. Laser output power of the polycrystalline 4.8 at% Nd:YAG ceramics was about 4 times higher as compared with that of high-quality commercial 1.0 at% Nd:YAG single crystal.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2000-04-01
著者
-
吉田 國雄
大阪工業大学工学部
-
吉田 國雄
Entropia レーザー Initiative
-
平等 拓範
自然科学研究機構分子科学研究所
-
平等 拓範
分子科学研究所
-
佐藤 庸一
分子科学研究所
-
吉田 国雄
大阪大学レーザー核融合研究センター
-
佐藤 庸一
分子科学研究所 分子制御レーザー開発研究センター
-
池末 明生
(財)ファインセラミックスセンター
-
池末 明生
(株)ポリテクノ
-
吉田 国雄
大阪工業大学工学部電子工学科
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