表面インピーダンスを持つ楔による回折界 : 端近傍の電磁界分布
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概要
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表面インピーダンスを持つ二次元の導体楔を平面波および円筒波で照射したときの回折電磁界をMaliuzhinetsの方法で定式化し、一様な漸近界を導出した。この問題に対する解は既に得られているが、円筒波励振に対する解を従来より簡単な方法で導出できることを示した。解は従来と同じようにMaliuzhintes関数、Fresnel積分を使って表すことができる。楔の開き角、表面インピーダンスの値を種々変化させた時の端部近傍の電磁界の分布を計算し、回折現象を視覚的に理解できるようにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-22
著者
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