誘電体基盤上の矩形導体のポテンシャル問題
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概要
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誘電体基盤上の置かれた矩形の導体平板に電位V_0を与えた時の任意の点のポテンシャル問題を定式化し、電荷、ポテンシャルおよび静電容量が基盤の厚さ、誘電率によりどのように影響を受けるかを数値的に検討した。解析法は小林ポテンシャルの方法を用いた。解は誘電体の上および導体板上の境界条件を満足しており、展開係数に対する連立方程式で表される。また電荷分布の表示式は特異性がはっきりした形になっている。従って、この方法による解は、この構造の固有関数展開と見ることができる。行列要素は二重無限積分で与えられ、この積分を被積分関数の漸近解を利用した解析と直接数値積分を組み合わせた方法により計算した。また尖端の特異性を計算し、誘電体による影響が小さいことが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-23
著者
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