集積型半導体変調器を用いた10Gb/s光インタフェースモジュール
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概要
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通信容量の増大に伴い、大容量で小型の光インタフェースの開発が望まれている。大容量の光インタフェースは、従来の基幹系用やGByte/s程度の伝送容量を必要とする並列型コンピュータの光インタコネクション用として期待されている。このような要求に応えるため、マルチチップモジュール(MCM)技術を適用した小型の10Gb/S光インタフェースモジュールを開発中である。今回、送信光源部に外部変調方式を適用し、長距離伝送にも対応が可能な小型の光インタフェースを試作したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
清水 淳一
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
後澤 瑞征
日本電気株式会社第三伝送通信事業部
-
野田 有秀
日本電気(株)第一伝送通信事業部
-
朔晦 正志
日本電気(株)伝送デバイス事業部
-
朔晦 正志
日本電気株式会社
-
中善寺 知広
日本電気(株)第一伝送通信事業部
-
後澤 瑞征
日本電気(株)第1伝送通信事業部
-
中善寺 知広
日本電気株式会社 Necネットワークス 光ネットワーク事業本部 光デバイス事業部
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