スピン・トンネル・ランダム・アクセス・メモリーの原理と実験
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概要
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筆者らは、GMR人工格子の記憶メカニズムを見出し、データ・ストレージ用の新しいGMRメモリーを実現した。しかし、CIP(current-in-plane)型GMR効果を利用したメモリー装置の最大の課題は、セル同士を直列に配置するためメモリセル数に比例して抵抗値が増大し、熱雑音は測定端子間の抵抗の平方根に比例するため、高密度化すれば1ビットセル自体のSN比は非常に小さくなることである。今回、筆者らはOPP(current-perpendicular-to-plane)型の強磁性体/絶縁体/異種強磁性体スピン・トンネル接合における記憶動作を確認し、スピン・トンネル・メモリーを提案する。この新しいメモリーでは、記憶セルを直交する上下二本の電極線間に並列に多数並べることができ、セル数を増やしても抵抗値は増加しないので、高密度化を図っても高いSN比を実現できる可能性がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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