GMR効果を利用するメモリー素子
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概要
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弱結合型GMR(巨大磁気抵抗効果)素子においてゼロ磁界近傍での小振幅磁界に対する抵抗変化曲線の傾きは前置の飽和磁化方向により正あるいは負に変化する。筆者らにはこれを利用して二進情報の記憶素子として利用する研究を進めている。これまでに、1ビットのGMRメモリーを試作して、その原理と動作を確認したので、その概略を以下に述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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