GMRランダム・アクセス・メモリー : 小型・高速・簡単の新原理固体メモリー素子
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概要
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弱結合型GMR(巨大磁気抵抗効果)素子の抵抗-磁界特性の部分駆動マイナ・ループの傾きは、前歴の磁化状態に依存して、正または負の値となる。著者らは、この独自に発見した新現象を利用して二進情報のメモリ素子として利用する研究を進めている。現在までに、その基本原理を実験とシミュレーション両面から確認して、GMR膜自体に情報蓄積機能を有する新しいメモリ素子を試作し、その動作を実証した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1995-06-15
著者
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